资料简介：
MAX5062/MAX5063/MAX5064高频、125V半桥、n 沟道MOSFET 驱动器可在高压应用中用于驱动高边和低边MOSFET。各驱动器可以独立控制，并且输入至输出典型35ns 的传输延迟被匹配在3ns (典型) 之内。高电压工作，非常小、并且驱动器之间匹配的传输延迟，高源出/吸收电流能力，以及热增强型封装等特性使这些器件非常适合于高功率、高频电信电源转换器。最大125V 的输入电压范围超出了电信标准所规定的100V 输入瞬态要求，并留出足够冗余。芯片在VDD与BST之间集成了高可靠的片上自举二极管，省去了分离的外部二极管。
